G6D-4B終端繼電器省安裝空間、立式的4點(diǎn)輸出用終端繼電器， G3DZ-4B寬28×高90×進(jìn)深45mm的尺寸節(jié)省空間。
備有內(nèi)置G6D繼電器型和無(wú)接點(diǎn)的G3DZ功率MOS FET繼電器型，品種齊全。
端子為IN/OUT分離結(jié)構(gòu)，因此配線(xiàn)方便。
帶動(dòng)作指示用LED。
內(nèi)置線(xiàn)圈浪涌吸收用二極管。
使用專(zhuān)用插座，可方便更換繼電器。
DIN導(dǎo)軌安裝、螺釘安裝共用。
附帶繼電器的拆卸工具。

本體

區(qū)別	接點(diǎn)構(gòu)成	型號(hào)	額定電壓(V)
繼電器輸出	1a×4	G6D-4B	DC12
繼電器輸出		G6D-4B	DC24
功率MOS FET繼電器輸出		G3DZ-4B	DC12
功率MOS FET繼電器輸出		G3DZ-4B	DC24

選裝件（另售）

更換用繼電器

適用的終端繼電器型號(hào)	型號(hào)	額定電壓(V)
G6D-4B	G6D-1A-ASI	DC12
G6D-4B	G6D-1A-ASI	DC24
G3DZ-4B	G3DZ-2R6PL	DC12
G3DZ-4B	G3DZ-2R6PL	DC24

額定規(guī)格

繼電器規(guī)格
操作線(xiàn)圈（單個(gè)G6D繼電器）

額定電壓 (V)		額定電流 (mA)	線(xiàn)圈電阻 (Ω)	動(dòng)作電壓 (V)	復(fù)位電壓 (V)	*大容許電壓 (V)	功耗 (mW)
DC	12	18.7	720	70%以下 *	10%以上	1.3	約200
DC	24	10.5	2880	70%以下 *	10%以上	1.3	約200

* 但上下反向安裝時(shí)為75％以下。
注1. 額定電流、線(xiàn)圈電阻的值是指，線(xiàn)圈溫度為+23℃時(shí)的值，公差為±10％。
2. 動(dòng)作特性指的是線(xiàn)圈溫度為+23℃時(shí)的值。
3. *大容許電壓是指，繼電器線(xiàn)圈操作電源的電壓容許變化范圍內(nèi)的*大值。不是連續(xù)容許。
4. 額定電流包含終端的LED電流。

開(kāi)關(guān)部（單個(gè)G6D繼電器）

負(fù)載	電阻負(fù)載(cosφ＝1)
額定負(fù)載	AC250V 3A、DC30V 3A
額定通電電流	3A
*接點(diǎn)電壓的大值**	AC250V、DC30V
*接點(diǎn)電流的大值**	3A
*開(kāi)關(guān)容量大值(參考值)**	750VA、90W

功率MOS FET繼電器規(guī)格
輸入（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）

額定電壓 (V)		使用電壓	動(dòng)作電壓電平	復(fù)位電壓電平	輸入阻抗	額定電流
DC	12	DC9.6～14.4V	DC9.6V以下	DC1V 以上	2kΩ±20%	8.0mA±20%
DC	24	DC19.2～28.8V	DC19.2V以下	DC1V 以上	4kΩ±20%	8.2mA±20%

注：額定電流包含終端的LED電流。

輸出（單個(gè)G3DZ功率MOS FET繼電器）

負(fù)載電壓	負(fù)載電流	浪涌ON電流耐量
AC3～264V DC3～125V	100μ～0.3A	6A (10ms)

注： G3DZ上沒(méi)有輸出極性。

性能

型號(hào)		G6D-4B
型號(hào)		繼電器輸出
*接觸電阻 1**		100mΩ以下
*動(dòng)作時(shí)間 2**		10ms以下
*復(fù)位時(shí)間 2**		15ms以下
絕緣電阻		1,000MΩ以上(DC500V兆歐表)
耐電壓	線(xiàn)圈/接點(diǎn)之間	AC2,000V 50/60Hz 1min
耐電壓	同極接點(diǎn)間	AC750V 50/60Hz 1min
耐沖擊電壓(線(xiàn)圈接點(diǎn)之間)		4,000V(1.2×50μs)
振動(dòng)	耐久	10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
振動(dòng)	誤動(dòng)作	10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊	耐久	500m/s²
沖擊	誤動(dòng)作	100m/s²
耐久性	機(jī)械	2,000萬(wàn)次以上(開(kāi)關(guān)頻率18,000次/h)
耐久性	*電氣 2**	AC250V 3A(電阻負(fù)載)10萬(wàn)次以上 DC30V 3A(電阻負(fù)載)10萬(wàn)次以上 (開(kāi)關(guān)頻率1,800次/h)
*故障率P水準(zhǔn)(參考值 3)**		DC5V 10mA
使用環(huán)境溫度、保管溫度		-25～+55℃(無(wú)結(jié)冰)
使用環(huán)境濕度		45～85%RH
質(zhì)量		約70g

注：上述值為初始值。
*1. 測(cè)量條件：DC5V 1A
*2. 環(huán)境溫度條件：+23℃
*3. 此值為開(kāi)關(guān)頻率120次/min時(shí)的值。

型號(hào)	G3DZ-4B
型號(hào)	功率MOS FET繼電器輸出
動(dòng)作時(shí)間	10ms以下
復(fù)位時(shí)間	15ms以下
輸出ON電阻	2.4Ω以下
開(kāi)路時(shí)漏電流	10μA以下(DC125V時(shí))
絕緣電阻	100MΩ以上(DC500V兆歐表)
輸入輸出間耐電壓	AC2,000V 50/60Hz 1min
振動(dòng)	10～55～10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊	500m/s²
使用環(huán)境溫度、保管溫度	-25～+55℃(無(wú)結(jié)冰)
使用環(huán)境濕度	45～85%RH
質(zhì)量	約65g

（單位：mm）

本體

G6D-4B
G3DZ-4B

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G6D-4B終端繼電器

G6D-4B終端繼電器省安裝空間、立式的4點(diǎn)輸出用終端繼電器， G3DZ-4B寬28×高90×進(jìn)深45mm的尺寸節(jié)省空間。 備有內(nèi)置G6D繼電器型和無(wú)接點(diǎn)的G3DZ功率MOS FET繼電器型，品種齊全。

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繼電器規(guī)格 操作線(xiàn)圈（單個(gè)G6D繼電器）

開(kāi)關(guān)部（單個(gè)G6D繼電器）

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